Файлы «cookie» помогают нам адаптировать сайт в соответствии с вашими потребностями, такими как язык или сфера интересов. Пожалуйста, подтвердите, что вы согласны на использование нами файлов «cookie».
ПРЕСС-РЕЛИЗ № 3085 ДЛЯ НЕМЕДЛЕННОГО РАСПРОСТРАНЕНИЯ
Этот текст является переводом официальной версии пресс-релиза с английского языка и приведен исключительно для вашего удобства. В случае каких-либо несоответствий оригинальная версия на английском языке имеет приоритетное значение.
Снижение потребления энергии и уменьшение физических размеров систем электропитания
ТОКИО, 1 марта 2017 г. – Корпорация Mitsubishi Electric (ТОКИО: 6503) объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.
Серия | Модель | Корпус | Номинал | Поставка |
---|---|---|---|---|
SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20 A/600 В | 1 марта 2017 г. |
BD20060S | TO-247 | 1 сентября 2017 г. |
Обратите внимание, что приведенные данные точны на момент публикации и могут быть изменены в будущем без уведомления.