ПРЕСС-РЕЛИЗ № 3085 ДЛЯ НЕМЕДЛЕННОГО РАСПРОСТРАНЕНИЯ

Этот текст является переводом официальной версии пресс-релиза с английского языка и приведен исключительно для вашего удобства. В случае каких-либо несоответствий оригинальная версия на английском языке имеет приоритетное значение.

Корпорация Mitsubishi Electric начинает производство
карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки

Снижение потребления энергии и уменьшение физических размеров систем электропитания

PDF Version (PDF:197.4KB)

ТОКИО, 1 марта 2017 г.Корпорация Mitsubishi Electric (ТОКИО: 6503) объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Особенности

1)
Основа из карбида кремния снижает энергопотребление и позволяет уменьшить размер устройства
- Улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21 % по сравнению с изделиями на основе кремния (Si).
- Обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели.
2)
Повышение надежности благодаря структуре барьера на переходе Шоттки (JBS)
- Объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом.
- Структура JBS помогает достичь высокой надежности.

График поступления образцов в продажу

Серия Модель Корпус Номинал Поставка
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 В 1 марта 2017 г.
BD20060S TO-247 1 сентября 2017 г.

Обратите внимание, что приведенные данные точны на момент публикации и могут быть изменены в будущем без уведомления.