ПРЕСС-РЕЛИЗ № 3164 ДЛЯ НЕМЕДЛЕННОГО РАСПРОСТРАНЕНИЯ

Этот текст является переводом официальной версии пресс-релиза с английского языка и приведен исключительно для вашего удобства. В случае каких-либо несоответствий оригинальная версия на английском языке имеет приоритетное значение.

Новый силовой полупроводниковый модуль на 6,5 кВ от Mitsubishi Electric с кристаллами из карбида кремния ставит мировой рекорд по удельной мощности

Он позволит создавать более эффективное силовое оборудование меньших габаритов для электропоездов и систем электроснабжения

Документ в формате PDF (PDF:254.6KB)

ТОКИО, 31 января 2018 г. - Корпорация Mitsubishi Electric (TOKYO: 6503) объявила о разработке силового полупроводникового модуля с рабочим напряжением 6,5 кВ полностью на основе карбида кремния (технология Full-SiC). Новый модуль обеспечивает самую высокую в мире удельную мощность (при расчете по номинальному напряжению и току) среди всех полупроводниковых модулей с номинальными напряжениями от 1,7 до 6,5 кВ благодаря оригинальной структуре с полевым МОП-транзистором (MOSFET) и диодом, выполненными на одном кристалле, а также специально разработанному корпусу. По прогнозам Mitsubishi Electric, этот модуль позволит создавать высоковольтное силовое оборудование меньших габаритов и с более высоким КПД для электропоездов и систем электроснабжения.

Прототип силового полупроводникового модуля Full-SiC на 6,5 кВ

Характеристики

1)
Full-SiC модуль самого высокого - 65 класса напряжения позволяет создавать силовое оборудование с меньшими габаритами и с более высоким КПД
- самое высокое номинальное напряжение в 6,5 кВ среди всех силовых полупроводниковых модулей на кремниевых биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT/БТИЗ);
- рекордно высокая удельная мощность, КПД и возможность работы на более высоких частотах благодаря использованию только карбида кремния (Full-SiC).
2)
Оригинальная структура на одном кристалле в корпусе нового типа обеспечивает эффективное рассеяние тепла и стойкость к высоким температурам
- уменьшенная площадь микросхемы благодаря интеграции полевого МОП-транзистора (MOSFET) и диода на одном кристалле;
- улучшенное рассеяние тепла и стойкость к высоким температурам благодаря изолирующей подложке с высокими температурными характеристиками и надежной пайке кристалла;
- Удельная мощность в 9,3 кВА/см3 — самая высокая в мире для полупроводниковых модулей номинальным напряжением от 1,7 до 6,5 кВ.

Сравнение силовых полупроводниковых модулей Full-SiC с традиционными кремниевыми модулями на БТИЗ

  Удельная мощность Потери мощности Принятая
рабочая частота
Модуль Full-SiC 1,8* 1/3 4
Модуль на БТИЗ 1** 1 1

Примечание: значения нормированы к соответствующим значениям модуля на БТИЗ производства Mitsubishi Electric
*Соответствует 9,3 кВА/см3
**Соответствует 5,1 кВА/см3

Обратите внимание, что пресс-релизы являются актуальными на момент публикации и могут быть изменены без уведомления.