Наши силовые полупроводниковые приборы используются практически везде: в силовых электронных устройствах, в том числе в бытовой электронике, тяговых системах, автомобилях и системах распределения электроэнергии. Являясь многолетним лидером на мировом рынке, Mitsubishi Electric вносит значительный вклад в сохранение энергии и уменьшение размера и массы электронного оборудования.
* В секторе модулей IGBT (по состоянию на февраль 2017 года), согласно исследованиям Mitsubishi Electric

Мы продолжаем исследовать потенциал карбида кремния (SiC). В силовых полупроводниках этот материал, благодаря своим особым характеристикам, может существенно сократить потери мощности, что значительно повышает энергоэффективность электронных устройств. Компания Mitsubishi Electric начала разработку данной технологии (SiC) еще в начале 1990-х годов и продолжает оставаться лидером отрасли на глобальном уровне, разрабатывая коммерческие версии силовых полупроводников с карбидом кремния и продуктов, использующих эти устройства, а также предоставляя данные, демонстрирующие их энергоэффективность.