Файлы «cookie» помогают нам адаптировать сайт в соответствии с вашими потребностями, такими как язык или сфера интересов. Пожалуйста, подтвердите, что вы согласны на использование нами файлов «cookie».
ПРЕСС-РЕЛИЗ № 3164 ДЛЯ НЕМЕДЛЕННОГО РАСПРОСТРАНЕНИЯ
Этот текст является переводом официальной версии пресс-релиза с английского языка и приведен исключительно для вашего удобства. В случае каких-либо несоответствий оригинальная версия на английском языке имеет приоритетное значение.
Он позволит создавать более эффективное силовое оборудование меньших габаритов для электропоездов и систем электроснабжения
ТОКИО, 31 января 2018 г. - Корпорация Mitsubishi Electric (TOKYO: 6503) объявила о разработке силового полупроводникового модуля с рабочим напряжением 6,5 кВ полностью на основе карбида кремния (технология Full-SiC). Новый модуль обеспечивает самую высокую в мире удельную мощность (при расчете по номинальному напряжению и току) среди всех полупроводниковых модулей с номинальными напряжениями от 1,7 до 6,5 кВ благодаря оригинальной структуре с полевым МОП-транзистором (MOSFET) и диодом, выполненными на одном кристалле, а также специально разработанному корпусу. По прогнозам Mitsubishi Electric, этот модуль позволит создавать высоковольтное силовое оборудование меньших габаритов и с более высоким КПД для электропоездов и систем электроснабжения.
Удельная мощность | Потери мощности | Принятая рабочая частота |
|
---|---|---|---|
Модуль Full-SiC | 1,8* | 1/3 | 4 |
Модуль на БТИЗ | 1** | 1 | 1 |
Примечание: значения нормированы к соответствующим значениям модуля на БТИЗ производства Mitsubishi Electric
*Соответствует 9,3 кВА/см3
**Соответствует 5,1 кВА/см3
Обратите внимание, что пресс-релизы являются актуальными на момент публикации и могут быть изменены без уведомления.