Файлы «cookie» помогают нам адаптировать сайт в соответствии с вашими потребностями, такими как язык или сфера интересов. Пожалуйста, подтвердите, что вы согласны на использование нами файлов «cookie».
Пресс-релизы
Этот текст является переводом официальной версии пресс-релиза с английского языка и приведен исключительно для вашего удобства. В случае каких-либо несоответствий оригинальная версия на английском языке имеет приоритетное значение.
ПРЕСС-РЕЛИЗ № 3298 ДЛЯ НЕМЕДЛЕННОГО РАСПРОСТРАНЕНИЯ
Токио, 2 сентября 2019 г. - Корпорация Mitsubishi Electric (TOKYO: 6503) совместно с Исследовательским центром глобальных микроэлектромеханических систем (МЭМС) и микротехники Национального Института Прогрессивной Промышленной Науки и Технологии (AIST) объявила о разработке нового транзистора с высокой подвижностью электронов на базе нитрида галлия (GaN-HEMT).
Прибор имеет многоячеистую структуру (т. е. состоит из множества параллельно расположенных транзисторных ячеек) и соединяется напрямую с обладающей высокой теплопроводностью монокристаллической теплоотводящей алмазной подложкой. Это первый в мире многоячеистый GaN-HEMT, изготовленный с помощью прямого соединения транзистора с монокристаллической алмазной подложкой.* Инновационное устройство с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с алмазной подложкой (GaN-on-Diamond HEMT) повысит КПД суммирования мощности усилителей в базовых станциях мобильной связи и системах спутниковой связи, тем самым способствуя сокращению потребления энергии. Mitsubishi Electric сейчас проводит оптимизацию конструкции транзистора GaN-on-Diamond HEMT до его выхода на рынок, намеченного на 2025 год.
Впервые об этом научном достижении было объявлено на Международной конференции по твердотельным приборам и материалам (SSDM), которая проходит в Университете Нагоя (Япония) со 2 по 5 сентября текущего года.
Новый GaN-on-Diamond HEMT Ячеистая структура, вид сверху
Вид нового GaN-on-Diamond HEMT в поперечном разрезе
Корпорация Mitsubishi Electric занималась проектированием, изготовлением, оценкой и анализом GaN-on-Diamond HEMT, а уже в Национальном Институте Прогрессивной Промышленной Науки и Технологии (AIST) разработали технологию прямого соединения.
Частично это достижение основано на результатах, полученных в рамках проекта, заказанного Организацией по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).
Обратите внимание, что пресс-релизы являются актуальными на момент публикации и могут быть изменены без уведомления.